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硅片的拋光處理
為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面，必須進(jìn)行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、電子束拋光、離子束拋光，較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光�；瘜W(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉、氫氧化鈉（或有機(jī)堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過(guò)程中，氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)生成硅酸鈉，通過(guò)與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進(jìn)入拋光液，兩個(gè)過(guò)程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的。根據(jù)不同要求，可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光（粗拋光、中間拋光和精拋光）。為滿(mǎn)足超大規(guī)模集成電路對(duì)表面質(zhì)量和平整度的要求，已有無(wú)蠟拋光和無(wú)磨料拋光等新工藝。
